调制掺杂相关论文
由于多铁性材料丰富的物理内涵和巨大的潜在应用价值,近十几年来寻找强磁电耦合的高温多铁性材料一直是凝聚态物理和材料科学领域......
研究了阱中生长自组装InAs量子点的光谱特性,获得了室温1.265μm近红外荧光发光,探讨了与量子点尺寸分布相联系的发光峰随温度的超......
利用分子束外延技术在(311)A衬底上,使用单一的硅源作为掺杂剂,通过控制Ⅴ/Ⅲ比和衬底温度等生长条件生长出不同导电类型的半导体......
本文研究了调制掺杂GaN/AlGaN/GaN异质结构的光荧光(PL)谱,发现了两个与二维电子气(2DEG)相关的发光峰H和H.它们对应于两个不同子......
铜氧化物高温超导体的超导机理是近30 年凝聚态物理学悬而未决的重大科学难题之一。结合自上而下的氩离子轰击-退火和自下而上的氧......
本文简要地介绍了量子线与量子点的概念，并说明可利用电容测量研究低维系统的性质。
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成功地制作出了常断 GaN 基 MODFET(调制掺杂 FET)。该器件的栅长和沟道长度分别为3和5μm,其非本征跨导高达120mS/mm,在正栅偏压......
研究了ＧａＩｎＡｓ／ＡｌＩｎＡｓｎ型调制掺杂结构样品的光致发光及其激发光谱。当空穴态被局域化后．二维电子气的发光线形反映了导带二维态密度的填充效应：导带......
通过使用分子束外延（ＭＢＥ）生长技术在ＰｔＳｉ／Ｓｉ界面上加进一足够薄的高掺杂浓度峰（Ｐ＋），可使ＰｔＳｉ肖特基红外探测器的截止波长延伸至长波红外范围。而且通过改......
针对目前多量子阱激光器结构设计中，忽略了载流子在每个阱内的注入不均匀性的问题，从油松方程和电流连续方程出发，提出每个阱单独考虑......
S．Nakamura于1997年9月宣布，日本日亚化学工业公司的蓝光二极管激光器寿命已达1000小时以上，预计到1998年，用于数字视盘（DVD）的蓝光二极......
波长短于红色（＜６３５ｎｍ）的发光二极管（ＬＥＤ）和激光二极管（ＬＤ）对于全息存储、光盘（ＣＤ）、打印机和其它器件具有重要的意义，因此许多开发致力于研制发射蓝光的ＬＤ。......
在调制掺杂ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ多量子阱结构的光致发光谱中，靠近强发光峰的低能端存在几个弱峰，且发光强度随温度的增加而变化．这些弱峰是由于掺硅ＡｌＧａＡｓ中ＤＸ中心......
赝配ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＡｌＡｓ调制掺杂异质结构可以获得很高的电子气面密度和电子迁移率，从而可以制成具有优越高频和低噪声特性的高电子迁移率晶体管（ＨＥＭＴ）．文中报......
本文建立了ＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓＨＥＭＴ的二维量子模型，这个模型是基于在ＧａＡｓ沟道中用自洽求解薛定谔方程和泊松方程．用二维数值模拟得到了ＨＥＭＴ沟道中横向电场和纵向电场......
给出了ＨＥＭＴ和ＰＨＥＭＴ的数学－物理模型。系统地描述了材料的隔离层、平面调制掺杂层、势垒耗尽层等材料结构尺寸和异质结界面二维电子气浓度及器......
高电子迁移率晶体管(HEMT)采用调制掺杂提高沟道中的载流子迁移率。在初期的AlGaAs/GaAsHEMT结构中,肖特基栅通过n+-AlGaAs施主层......
以高电子迁移率晶体管、异质结双极晶体管和微波/毫米波集成电路为例,介绍化合物半导体器件的特点、封装、测试及其应用。
Taking......
通过固态源的分子束外延系统生长了调制掺杂AlGaAs/GaAs结构材料和InP/InP外延材料。在生长含磷材料之后,生长条件(真空状态)变差;......
在低温和强磁场下,通过磁输运测量研究了不同Al组分调制掺杂Al_xGa_(1-x)N/GaN异质结二维电子气(2DEG)的磁电阻振荡现象.观察到低A......
本文将硼离子注入n型硅片制备出硅pn结发光二极管,系统研究了硼离子的注入剂量、能量、以及温度等条件对硅pn结电致发光效率的影响......
通过低温和高磁场下的磁输运测量 ,首次在Al0 .2 2 Ga0 .78N GaN异质结中观察到了舒勃尼科夫 德哈斯振荡的双周期特性 ,发现在Al0 ......
研究了调制掺杂AlxGa1-xN GaN异质结中与二维电子气 (2DEG)有关的光致发光 ,发现温度 40K时Al0 .2 2 Ga0 .78N GaN异质结中 2DEG与......
量子信息技术的发展对单光子探测器提出了更高的性能要求,新型的量子点单光子探测器具有很好的性能和发展潜力。研究了一种基于量......
系统研究了在调制掺杂AlGaAs/GaAs异质结中嵌入InAs量子点后对二维电子气输运特性的影响。使用分子束外延设备生长了量子点层与二......
ZnO是一种新型的Ⅱ-Ⅳ族直接宽禁带隙化合物半导体,因其价廉、环保和性能稳定,有望取代ITO和FTO应用于太阳能电池前电极器件上,有......
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在调制掺杂（Si）Al0.27Ga0.73As／GaAs多量子阱结构的光致发光谱中，观测到一个强发光峰及多个低能弱发光峰．强发光峰是量子阱中基态电子与......
铜氧化物高温超导体的超导机理是近30年凝聚态物理学悬而未决的重大科学难题之一.为了彻底解决这一科学难题,最有效的办法是直接测......
为了定性地比较GaAs/AlGaAs高电子迁移率晶体管(HEMT)和普通的GaAs MESFET中由极性光频声子限制的电子迁移率和漂移速度,进行了粗......
采用直接描绘电子束刻蚀法制造了用于低噪声极高频(EHF)放大器的亚半微米栅长的高电子迁移率晶体管。调制掺杂的外延结构是用分子......
分子束外延能够生长原子平滑的层、精确控制层厚度及掺杂的灵活性使其较容易地合成多组分、多层的异质结.然而,在较高的掺杂浓度下......
调制掺杂(Al,Ga)As-GaAs异质结二维电子气场效应晶体管(TEGFET)是一种基于(Al,Ga)As-GaAs的界面处存在着高载流子迁移率二线电子气......
用网络分析仪测量了1μm栅(Al,Ga)As/GaAs调制掺杂FET(MODFET)的微波特性。计算了等效电路参数,并与等同结构的GaAsMESFET相比较。......
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近十年来,分子束外延技术(简称MBE)以其独特的优点在多方面取得了令人注目的发展。本文从六个方面讨论了MBE技术目前的发展情况。M......
第1 期国际集成电路发展三十周年………………二……··,…………·。,…··本刊主编 林金庭(豆)亚微米栅**S**T中FUk山公式修正......
美国康奈尔大学和新泽西州西门子研究与工艺实验室的科学家研制成一种转换频率为113GHz的GaAs晶体管。这种为调制掺杂场效应晶体......
新一代的半导体器件,许多都要采用GaAs的调制掺杂构造,或超晶格构造.在这里,如何提高膜厚的控制性,使其一次只成长一分子层,是个关......
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采用通常的电荷控制模型以及实际亚微米栅结构的载流子速度饱和概念,计算了AlGaAs/GaAs调制掺杂FET的直流和小信号交流特性。为了......
