一种二阶补偿的高精度带隙基准电压源设计

来源 :浙江省电子学会2008学术年会 | 被引量 : 0次 | 上传用户：kldxn

【摘要】

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　　基于charter 0.35μm标准CMOS工艺,设计了一种带自启动电路的高精度、低温漂、低功耗带隙基准电压源.电路在传统带隙基准源的基础上进行改进,利用不同材料电阻温漂系数的

【作者】

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韩健孙玲玲洪慧

【机构】

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杭州电子科技大学电子信息学院,浙江杭州310018

【出处】

：

浙江省电子学会2008学术年会

【发表日期】

：

2008年11期

【关键词】

：

自启动电路带隙基准电压源二阶补偿

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　　基于charter 0.35μm标准CMOS工艺,设计了一种带自启动电路的高精度、低温漂、低功耗带隙基准电压源.电路在传统带隙基准源的基础上进行改进,利用不同材料电阻温漂系数的比值实现二阶补偿.仿真结果表明,在-40～120℃范围内,输出电压达到1.148 V,平均温漂系数为4.9ppm/℃,功耗仅为57μW.

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