一种适合射频功率放大器应用的图形化SOI LDMOSFET新结构

来源 :半导体学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：onlysunnyfei

【摘要】

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设计并制备了一种新颖的在栅下开硅窗口的图形化SOI LDMOSFET．该器件具有良好的直流和射频特性：输出曲线平滑，没有明显翘曲（kink）效应；静态击穿电压为13V；在栅漏偏压为3．6V时，截至频率

【作者】

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李文钧孙玲玲刘军

【机构】

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杭州电子科技大学微电子CAD研究所

【出处】

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半导体学报

【发表日期】

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2007年4期

【关键词】

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图形化SOI LDMOSFET SIMOX 射频功率放大器 patterned-SOI LDMOSFET SIMOX RF power amplifier

【基金项目】

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浙江省教育厅科技计划资助项目（批准号：KYG051205053）

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设计并制备了一种新颖的在栅下开硅窗口的图形化SOI LDMOSFET．该器件具有良好的直流和射频特性：输出曲线平滑，没有明显翘曲（kink）效应；静态击穿电压为13V；在栅漏偏压为3．6V时，截至频率为6GHz．负载牵引测试表明，该器件在1．5GHz时，PAE为50％，输出功率为27dBm，表明该器件适合射频功率放大器的应用．

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