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为了提高SOI器件抗总剂量能力，采用了倒掺杂结构。研究了倒掺杂结构PD SOI器件抗总剂量能力的增强，介绍了该结构对寄生NPN晶体管的抑制作用。发现倒掺杂结构不仅提高了器件的抗总剂量能力，对器件的抗单粒子能力也有所提高。基于0．35μmSOI工艺线，结合ISETCAD软件对器件的电学特性进行仿真，比较了流片测试数据和仿真数据。着重研究倒掺杂结构PDSOI器件较常规PDSOI器件抗SEU能力的改善，并对SOI器件单粒子辐射的电荷收集效应进行了模拟与仿真。