立方相InGaN的稳态和瞬态光学特性研究

来源 :红外与毫米波学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：kisscase

【摘要】

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用光荧光和时间分辨光谱技术研究了MEB生长立方In1-xGa1-xN(x=0.150.26)外延材料的稳态和瞬态发光特性.实验表明InGaN发光主要来自局域激子发光,局域化是由合金无序造成的,相

【作者】

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徐仲英刘宝利李顺峰杨辉葛惟昆

【机构】

：

中国科学院半导体研究所!北京,100083,中国科学院半导体研究所!北京,100083,中国科学院半导体研究所!北京,100083,中国科学院半导体研究所!北京,100083,香港科技大学物理系

【出处】

：

红外与毫米波学报

【发表日期】

：

2000年01期

【关键词】

：

InGaN 激子局域化时间分辨光谱

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用光荧光和时间分辨光谱技术研究了MEB生长立方In1-xGa1-xN(x=0.150.26)外延材料的稳态和瞬态发光特性.实验表明InGaN发光主要来自局域激子发光,局域化是由合金无序造成的,相应局域化能量为60meV左右.荧光衰退呈现双指数特性,快过程(50ps,12K)是自由激子的快速驰豫引起的,而慢过程(200～270ps,12K)则对应局域激子发光,其荧光寿命随温度缓变反映了激子发光的强局域性质.

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