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利用LDA + U方法计算ⅢA族元素Al、Ga、In掺杂ZnO晶体的能带结构、形成能和跃迁能级,讨论ⅢA族元素掺杂ZnO晶体结构的稳定性和电离性质。替代掺杂在ZnO晶体中形成一个浅施主能级,容易发生电离;GaZn和Gai的形成能相对较低,晶体结构相对稳定;掺杂后ZnO导带下移,费米能级穿过导带。