【摘 要】
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本文主要介绍了用光电化学腐蚀法成功的制作了一系列钨零件。通过对钨腐蚀液的选择,控制电极电位及电流密度,控制抗蚀剂的选择。用适当的活化剂使直径为φ100mm、线宽仅0.03m
【机 构】
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电子工业部十二所,电子工业部十二所,
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本文主要介绍了用光电化学腐蚀法成功的制作了一系列钨零件。通过对钨腐蚀液的选择,控制电极电位及电流密度,控制抗蚀剂的选择。用适当的活化剂使直径为φ100mm、线宽仅0.03mm、透过率达到90％的电子直线加速器用钨网,已研制成功。
This article describes the successful production of a series of tungsten parts by photoelectrochemical etching. Through the choice of tungsten etching solution, control electrode potential and current density, control the choice of resist. With appropriate activator diameter φ100mm, line width of only 0.03mm, the transmittance of 90% of the electron linear accelerator tungsten mesh, has been successfully developed.
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