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本文首次报道一种结构简单的１．５５μｍ ＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ部份增益耦合ＤＦＢ激光器与电吸收调制器的单片集成器件。该器件采用脊波导进行横模限制，阈值电流范围为３０￣６０ｍＡ，典型边模抑制比大于４０ｄＢ，反向偏压３Ｖ时的消光比为１１ｄＢ。
1.55μmInGaAsP/InP部份增益耦合分布反馈式激光器/电吸收调制器集成器件
【摘 要】
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本文首次报道一种结构简单的１．５５μｍ ＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ部份增益耦合ＤＦＢ激光器与电吸收调制器的单片集成器件。该器件采用脊波导进行横模限制，阈值电流范围为３０￣６０ｍＡ，典型边模抑制比大于４０ｄＢ，反向偏压３Ｖ时的消光比为１１ｄＢ。
【机 构】
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集成光电子学国家重点联合实验室清华大学电子工程系,武汉电信器件公司
【出 处】
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半导体学报：英文版
【发表日期】
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1998年7期
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