【摘 要】
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通过MCNP程序模拟计算了低能注量X射线辐照圆柱腔外端面并透射进入腔体时,腔内各作用面的综合辐照环境及电子发射参数。结合3维粒子模拟(PIC)程序,对多发射面作用下圆柱腔内
【基金项目】
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强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室专项经费资助项目(SKLIPR1601Z)
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通过MCNP程序模拟计算了低能注量X射线辐照圆柱腔外端面并透射进入腔体时,腔内各作用面的综合辐照环境及电子发射参数。结合3维粒子模拟(PIC)程序,对多发射面作用下圆柱腔内电磁场和粒子分布进行了模拟计算,并与仅存在上端面电子发射时的电磁场结果进行对比。结果表明,在实际情况下,圆柱侧壁和下端面会发射大量电子,能将上端面中心处的轴向电场强度增大至仅上端面发射电子时的2倍,而由于此时腔内多发射面作用下电流方向的复杂化,磁场强度则略微减小。同时,比较了由MCNP计算得到的前向散射电子能谱和部分文献采用的近似能谱,
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