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应用多光子非线性Compton散射模型和分段电流密度卷积时域有限差分法，将入射光和Compton散射光作为形成缺陷模的机制，研究了Compton散射对具有单一缺陷模的时变磁化等离子体光子晶体缺陷模的影响。结果表明：与Compton散射前相比，入射光频率低于等离子体频率时，禁带中仍存在明显的缺陷模，其频率随等离子体驰豫时间的增大而缓慢增大；等离子体弛豫时间相等时，等离子体均匀分布的禁带透射系数峰值比Epstein分布时小，两者的缺陷模特征都比较明显，但两者的禁带宽度及缺陷模之间的区别明显减小。