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应用RESURF原理,设计了三端自由的高压LDMOS器件.采用虚拟制造技术,分析比较了多种结构,对器件结构进行了优化.设计了与常规CMOS兼容的高压器件结构的制造方法和工艺.采用虚拟制造,得到NMOS和PMOS虚拟器件,击穿电压分别为350 V和320 V.
三端自由高压LDMOS器件设计
【摘 要】
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应用RESURF原理,设计了三端自由的高压LDMOS器件.采用虚拟制造技术,分析比较了多种结构,对器件结构进行了优化.设计了与常规CMOS兼容的高压器件结构的制造方法和工艺.采用虚
【机 构】
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清华大学微电子学研究所．北京100084
【出 处】
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微电子学
【发表日期】
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2004年2期
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