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介绍一种用锑化铟—铟（InSb-In）共晶体薄膜磁阻元件（MR）制成的电流传感器（MRCS），并设计了一种能较大幅度增大其输出电压的信号处理电路。当处理电路的电压增益为80?db，待测的50?Hz交流电流在40～110?mA之间变化时，输出电压在约1?V至约3.5?V范围内变化，并且两者之间有比较好的线性关系，标准偏差＜0.02。输出信号电压与本底噪声之比是（24～46）：1。