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铁电PZT薄膜的极化印刻(imprinting)是PZT不挥发存储器失效的重要原因之一.本文研究了不同钇量改性的PZT(40/60)铁电薄膜在高温(120℃)和偏置电压下的极化印刻特性,发现适量的钇掺杂,改善了PZT薄膜电容器单元的极化印刻.
钇改性PZT薄膜的极化印刻研究
【摘 要】
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铁电PZT薄膜的极化印刻(imprinting)是PZT不挥发存储器失效的重要原因之一.本文研究了不同钇量改性的PZT(40/60)铁电薄膜在高温(120℃)和偏置电压下的极化印刻特性,发现适量
【机 构】
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中国科学院上海硅酸盐研究所
【出 处】
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无机材料学报
【发表日期】
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2001年5期
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