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InAs／InGaSb超晶格具有特殊的能带结构，优越的材料性能，被认为是第三代红外探测器的首选材料。对InAs／InGaSb超晶格的材料性能、材料生长、探测器结构和探测器研究进展进行了介绍，并指出了超晶格探测器进一步发展需要解决的问题及其广阔的应用前景。
锑化物超晶格红外探测器的研究进展
【摘 要】
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InAs／InGaSb超晶格具有特殊的能带结构，优越的材料性能，被认为是第三代红外探测器的首选材料。对InAs／InGaSb超晶格的材料性能、材料生长、探测器结构和探测器研究进展进行了介绍
【机 构】
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中国科学院半导体研究所材料科学中心
【出 处】
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固体电子学研究与进展
【发表日期】
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2010年1期
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