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以高浓度比的氢稀释硅烷为反应气源，在ＰＥＣＶＤ 薄膜沉积系统中利用高频等离子体中［Ｈ］基对生成膜表面弱Ｓｉ－Ｓｉ键的腐蚀作用，能有效地改善沉积硅膜中网络结构的完整性．并促使其成核生长，从而能沉积出高质量的ａ－Ｓｉ：Ｈ膜以及具有纳米相结构的ｎｃ－Ｓｉ：Ｈ膜．
以高氢稀释硅烷为反应气源沉积硅薄膜
【摘 要】
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以高浓度比的氢稀释硅烷为反应气源，在ＰＥＣＶＤ 薄膜沉积系统中利用高频等离子体中［Ｈ］基对生成膜表面弱Ｓｉ－Ｓｉ键的腐蚀作用，能有效地改善沉积硅膜中网络结构的完整性．并促使其成核生长，从而能沉积
【机 构】
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北京航空航天大学非晶态物理研究室北京100083
【出 处】
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物理
【发表日期】
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1993年7期
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