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为了提高接收机的性能,基于台积电公司0.18 μm CMOS工艺设计了低噪声放大器.从晶体管模型出发,分析了阻抗匹配,采用源端负反馈和提高输入匹配的电感Q值来降低噪声.通过电路的共源共栅结构搭配电路,消除密勒电容,提高电路性能.
基于0.18 μm CMOS工艺的低噪声放大器设计
【摘 要】
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为了提高接收机的性能,基于台积电公司0.18 μm CMOS工艺设计了低噪声放大器.从晶体管模型出发,分析了阻抗匹配,采用源端负反馈和提高输入匹配的电感Q值来降低噪声.通过电路
【机 构】
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天津职业技术师范大学天线与微波技术研究所,陕西千山航空电子有限责任公司
【出 处】
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天津职业技术师范大学学报
【发表日期】
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2014年3期
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