基于纳米间隙介质阻挡放电的硅与玻璃超低温阳极键合

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本文对介质阻挡放电(DBD)活化阳极键合工艺进行了改进。通过亲水性表面测试来表征处理后的表面,结果表明纳米间隙条件下亲水角明显降低并得到最优的放电电压为2 kV。然后,进行了阳极键合与介质阻挡放电活化键合的对比试验,通过拉伸破坏测试来表征键合强度,结果表明纳米间隙下活化键合强度更高。完成了110°C低温下的阳极键合,键合强度为2 MPa。最后讨论了活化后促进键合的机理。
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