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ICP硅深槽刻蚀中的线宽控制问题研究

来源 :微纳电子技术 | 被引量 : 0次 | 上传用户：ttjjww1129

【摘 要】

：

在高密度反应离子刻蚀技术中,存在明显的线宽损失,对小尺寸MEMS结构影响很大,将使MEMS器件灵敏度下降,稳定性降低.本文介绍了一种减小线宽损失的新工艺技术,在初始阶段的刻蚀

【作 者】

：

王成伟 闫桂珍 朱泳 

【机 构】

：

北京大学微电子学研究院

【出 处】

：

微纳电子技术

【发表日期】

：

2003年7期

【关键词】

：

ICP 硅深槽刻蚀 线宽控制 离子刻蚀 MEMS结构 微机电系统 MEMS DRIE etch of deep silicon trenches critica 

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在高密度反应离子刻蚀技术中,存在明显的线宽损失,对小尺寸MEMS结构影响很大,将使MEMS器件灵敏度下降,稳定性降低.本文介绍了一种减小线宽损失的新工艺技术,在初始阶段的刻蚀步骤中加入剂量逐渐递减的钝化气体C4F8,同时适当减小循环周期的刻蚀时间,使线宽损失由原来常规刻蚀工艺中的155nm减少到55nm.此项技术已经应用于MEMS陀螺的制造工艺中,取得了很好的结果.

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