【摘 要】
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基于0.6μm双阱CMOS工艺模型,实现了一种高速低功耗16×16位并行乘法器。采用传输管逻辑设计电路结构,获得了低功耗的电路性能。采用改进的低功耗、快速Booth编码电路结构
【机 构】
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复旦大学国家微电子材料与元器件微分析中心,复旦大学国家微电子材料与元器件微分析中心 上海 200433 ,上海 200433
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基于0.6μm双阱CMOS工艺模型,实现了一种高速低功耗16×16位并行乘法器。采用传输管逻辑设计电路结构,获得了低功耗的电路性能。采用改进的低功耗、快速Booth编码电路结构和4-2压缩器电路结构,它在2.5V工作电压下,运算时间达到7.18ns,平均功耗(100MHz)为9.45mW。
Based on the 0.6μm dual-well CMOS process model, a high-speed, low-power 16 × 16-bit parallel multiplier is implemented. The transmission tube logic design circuit structure, access to low-power circuit performance. Using an improved low-power, fast Booth encoding circuit architecture and a 4-2 compressor circuit architecture, it operates at 2.5V with an operating time of 7.18ns and an average power consumption (100MHz) of 9.45mW.
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