光增益最大的光电二极管

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佐治亚理工学院、美陆军研究院及Kyma Technologies公司的一个研究小组声称制造出迄今光增益最高的GaN基雪崩光电二极管。这些雪崩光电二极管在360nm波长的光照下,最大光增益超过100。此外,该器件的管芯直径50μm,是迄今报导的族-氮(-N)雪崩光电二极管中管芯面积最大的。尽管上 A team at Georgia Tech, the US Army Research Institute and Kyma Technologies claims to have made GaN-based avalanche photodiodes with the highest optical gain so far. These avalanche photodiodes have a maximum optical gain of more than 100 at 360nm. In addition, the device’s die diameter of 50μm is the largest die area reported in the family-nitrogen (-N) avalanche photodiodes. Despite it
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