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用近空间升华法在CdS薄膜上沉积了CdTe薄膜．研究了在两种保护气氛下所沉积的多晶CdTe薄膜在后处理后的微结构、表面形貌及光致发光(PL)谱，并研究了CdTe表面和CdS／CdTe界面的PL谱的区别，根据薄膜的微结构对碲化镉在太阳电池中的应用进行了讨论．
近空间升华沉积CdTe薄膜的微结构和PL谱
【摘 要】
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用近空间升华法在CdS薄膜上沉积了CdTe薄膜．研究了在两种保护气氛下所沉积的多晶CdTe薄膜在后处理后的微结构、表面形貌及光致发光(PL)谱，并研究了CdTe表面和CdS／CdTe界面的PL谱
【机 构】
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四川大学材料科学系,中国科学院半导体研究所材料科学开放实验室
【出 处】
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半导体学报
【发表日期】
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2003年8期
【基金项目】
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国家高技术研究与发展计划 (编号 :2 0 0 1AA5 13 0 10 ),国家重点基础研究发展规划(编号:G2 0 0 0 0 2 82 0 8)资助项目~~
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