村底噪声耦舍是深亚微米混舍信号集成电路中常见的噪声干扰效应，严重地影响了模拟电路的性能．系统地阐述混合信号SoC中的村底噪声耦......

分析了在采用内燃结构进行氢氧合成氧化过程中，造成氧化层厚度不均匀的原因．根据流体力学和热传导理论，设计了解决这一问题的半封闭式......

分析了PAE效应(process antenna effect)的成因，并在此基础上提出了几种在深亚微米ASIC设计中消除PAE效应的方法．其方法应用于“龙芯......

采用有限元分析方法对vf-BGA焊球的热疲劳特性进行了模拟．通过扫描电镜(SEM)对温度循环试验后焊球金属间化合物(IMC)层和剪切强度试......

提出了一种改进的遗传算法，应用于提取GaAsMESFET小信号等效电路参数．改进的算法采用浮点编码连续突变，多种遗传操作合作运行，并应用子......

在发射极加一个镇流电阻可以解决在多个HBT并联时，常常出现电流坍塌的问题．研究了发射极镇流电阻对In0.49Ga0.51P／GaAs HBT直流及高频......

报道了利用高真空MOCVD外延生长γ氧化铝的技术和利用SOSCMOS的成熟工艺制作双异质外延Si／γ-Al2O3／Si单晶薄膜以及用其研制Si／γ-Al2......

基于0．25umCMOS工艺，通过在环形振荡器的基础上引入注入同步技术，实现了一种新颖的应用于SDH系统STM-16速率级的注入同步振荡器．测试结......

报道了一种采用U形发射极新结构的高性能InGaP／GaAsHBT．采用自对准发射极、LEU等先进工艺技术实现了特征频率达到108GHz，最大振荡频率......

描述了一种串联微波MEMS开关的设计、制造过程，它制作在玻璃衬底上，采用金铂触点，在DC～5GHz，插损小于0．6dB，隔离度大于30dB，开关时间小于30......

以大规模混合模式布局问题为背景，提出了有效的初始详细布局算法。在大规模混合模式布局问题中，由于受到计算复杂性的限制，有效的初始......

采用双曲正切函数的经验描述方法和器件物理分析方法，建立了适用于亚微米、深亚微米的LDD MOSFET输出I-V特性解析模型，模型中重点考......

提出了一种采用分段线性补偿的方法来实现高精度带隙基准，其基本原理是将整个温度区间分为若干个子区间，在不同子区间上采用不同线性......

提出了一种新的用于加速130nm以下工艺交替式相移掩模设计流程的版图划分方法，该方法能够自适应调整版图划分的粒度．讨论了消除相位......

介绍了一种简单的高性能基准源电路．该电路利用了工作在饱和区和亚阈值区的MOS晶体管迁移率和阈值电压温度特性进行补偿，此外还利用......

利用室温下反应磁控溅射的方法在p-Si(100)衬底上制备了HfO2栅介质层，研究了HfO2高k栅介质的电流传输机制和应力引起泄漏电流(SILC)......

利用泊松方程以及异质结能带理论，通过费米能级一二维电子气浓度的线性近似，推导了基于双异质结双平面掺杂的HEMT器件的电荷控制模型......