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利用发光光谱、X射线衍射（XHD）、原子力显微（AFM）等实验方法对MOCVD生长的InxGa1-xN合金进行了研究。原子力显微图样表明样品表面出现纳米尺度为微岛状结构。样品PL和PLE谱表明，其主要吸收峰位于波长为365，474nm，发光峰的位置位于波长为545，493nm处，其中545nm发光峰半高宽较493nm发光峰宽，这两个峰分别起源于In（Ga）N浸润层和InGaN层发光，浸润层局域化激子和岛状微观结构弛豫特性是产生发光峰Stokes移动的重要原因。