Zn/Sn共掺杂MgO功能层对AC PDP放电性能的影响

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采用化学共沉淀法制备出Zn/Sn共掺杂MgO纳米粉末,利用旋涂法将其涂覆在等离子体显示器(AC PDP)的前基板上作为功能层,以改善AC PDP的放电性能。X射线衍射(XRD)、光电子能谱(XPS)和扫描式电子显微镜(SEM)的分析结果表明,Zn和Sn原子被成功掺入MgO晶格中。紫外?可见分光光度计的测试结果显示,Zn/Sn共掺杂MgO功能层的加入使基板的可见光透过率降低了4%~7%。在200~450 torr、7%Xe+Ne的放电条件下,与传统AC PDP相比,新型功能层的加入有效降低了AC PDP的着
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