一种高电源抑制比的CMOS带隙基准电压源

来源 :华中科技大学学报(自然科学版) | 被引量 : 0次 | 上传用户：hongtu200909

【摘要】

：

基于CSMC 0.5μm CMOS工艺,采用CMOS技术,设计一种高性能的带隙基准电压源.带隙基准电压源输出电压经过电平转换电路,反馈回带隙基准电压源中的运算放大器,可以获得良好的电

【作者】

：

张道礼梁延彬吴艳辉陈胜

【机构】

：

华中科技大学电子科学与技术系,弥亚微电子上海有限公司,华中科技大学电子科学与技术系湖北武汉,湖北武汉

【出处】

：

华中科技大学学报(自然科学版)

【发表日期】

：

2007年11期

【关键词】

：

带隙基准反馈温度系数电源抑制比可修调电阻 bandgap reference feedback temperature coefficient P

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基于CSMC 0.5μm CMOS工艺,采用CMOS技术,设计一种高性能的带隙基准电压源.带隙基准电压源输出电压经过电平转换电路,反馈回带隙基准电压源中的运算放大器,可以获得良好的电源特性和带负载能力.采用可修调电阻阵列,精确地控制温度系数.仿真结果表明:在5 V电源电压下,温度系数为8.28×10-6/℃,低频电源抑制比为83 dB.

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