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光刻胶在集成电路(Integrated circuit,IC)制造、微机电系统(Microelectro.mechanical systems,MEMS)等工艺中广泛使用,价格昂贵、有毒。由于传统光刻胶薄膜制备多采用旋涂工艺,约95%的光刻胶浪费,且无害化处置成本高。为此,提高光刻胶的利用率一直是涂胶工艺追逐的目标之一。针对节省光刻胶的超声雾化喷涂薄膜制备工艺面临的薄膜均匀性问题,在自行开发的100kHz的超声雾化喷嘴的基础上,通过分析载气的流场分布,建立雾化液滴在旋转、对称载气流场中的受力模型和碰撞模型