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采用直流磁控反应溅射法制备锡掺杂氧化铟 （ Ｉ Ｔ Ｏ） 薄膜， 研究了不同的基片温度、氧分压等工艺参数对 Ｉ Ｔ Ｏ 薄膜电学、光学性能的影响， 制备出方块电阻为２０ － ５０ Ω、可见光透射率高于８６ ％ 的 Ｉ Ｔ Ｏ 薄膜
磁控溅射ITO透明导电薄膜的研究
【摘 要】
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采用直流磁控反应溅射法制备锡掺杂氧化铟 （ Ｉ Ｔ Ｏ） 薄膜， 研究了不同的基片温度、氧分压等工艺参数对 Ｉ Ｔ Ｏ 薄膜电学、光学性能的影响， 制备出方块电阻为２０ － ５０ Ω、可见光透射率高于８６ ％ 的
【机 构】
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福州大学电子科学与应用物理系
【出 处】
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福州大学学报(自然科学版)
【发表日期】
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1999年04期
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