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利用离子注入技术，将Ce^+3离子注入到YIG单晶薄膜中，剂量为10^14-10^16ion/cm^2，能量为500keV。对注入前后的样品进行光吸收谱测量，发现注入后的样品光吸收有明显的增加，且样品颜色变深，对样品进行高温退火，可有效地降低光损耗，离子注入样品磁光特性测量表明Ce^+3薄膜有很大的磁光增强作用，且法拉第旋转角随注入剂量增加而增大。