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针对区熔法高阻硅单晶的生长过程描述和基本特征,以晶体生长基本原理为基础,从生长机理与模型建立热传导模型（晶体内的热量传输模型和固液界面处的热量传输模型）、热对流模型（晶体表面与氩气之间的对流传热模型和熔体内的对流传热模型）热辐射模型等方面进行了阐述,并针对高品质区熔硅单晶生长提出了相应的研究思路和方法。