【摘 要】
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报道了用于超高速数字集成电路的0.5μm发射级线宽的InP/InGaAs DBHT器件,及其100 GHz的静态分频器,其工作频率达到国内领先.并详细分析了器件CB结电容对影响高速数字应用的
【机 构】
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南京电子器件研究所微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室,
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报道了用于超高速数字集成电路的0.5μm发射级线宽的InP/InGaAs DBHT器件,及其100 GHz的静态分频器,其工作频率达到国内领先.并详细分析了器件CB结电容对影响高速数字应用的影响,其中Ccb/Ic达到0.4 ps/V,揭示其静态分频器具有工作在150 GHz以上的潜力.
Reported the 0.5μm emission-level line-width InP / InGaAs DBHT device for ultra-high speed digital integrated circuits and its 100 GHz static frequency divider, and its working frequency has reached the leading position in China. The impact of high speed digital applications, where Ccb / Ic reaches 0.4 ps / V, reveals the potential of its static frequency divider to operate above 150 GHz.
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