【摘 要】
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针对当前微机电系统(MEMS)发展对小型化封装的需求,设计了 一种高可靠性、低成本、高深宽比的硅通孔(TSV)结构工艺流程.该工艺流程的核心是双面盲孔电镀,将TSV结构的金属填充
【机 构】
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中北大学仪器与电子学院,太原030051;中北大学前沿交叉学科研究院,太原030051;中北大学仪器与电子学院,太原030051;中北大学前沿交叉学科研究院,太原030051;中北大学南通智能光机电研
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针对当前微机电系统(MEMS)发展对小型化封装的需求,设计了 一种高可靠性、低成本、高深宽比的硅通孔(TSV)结构工艺流程.该工艺流程的核心是双面盲孔电镀,将TSV结构的金属填充分为正、反两次填充,最后获得了深度为155 μm、直径为41μm的TSV结构.使用功率器件分析仪对TSV结构的电学性能进行了测试,使用X光检测机和扫描电子显微镜(SEM)分别观察了 TSV结构内部的缺陷分布和填充情况.测试结果证明,TSV样品导电性能良好,电阻值约为1.79×10-3Ω,孔内完全填充,没有空洞.该研究为实现MEMS的小型化封装提供了一种解决方法.
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