【摘 要】
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本文对新型8T CMOS图像传感器进行了不同能量的质子辐照实验.由于质子辐照后同时引入电离总剂量(TID)效应和位移损伤剂量(DDD)效应,使得器件参数的退化机理复杂.为了具体区分导致不同参数退化的主要因素,采用等效TID法和等效DDD法.实验得出DDD效应主要引起暗电流的退化,而TID效应主要导致光谱响应的退化,实验结果为辐射环境下图像传感器的加固设计提供了理论依据.“,”The proton irradiation experiments with different energy were carr
【机 构】
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中国科学院新疆理化技术研究所,新疆乌鲁木齐830011;新疆电子信息材料与器件重点实验室,新疆乌鲁木齐830011;中国科学院大学,北京100049;中国科学院新疆理化技术研究所,新疆乌鲁木齐8300
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本文对新型8T CMOS图像传感器进行了不同能量的质子辐照实验.由于质子辐照后同时引入电离总剂量(TID)效应和位移损伤剂量(DDD)效应,使得器件参数的退化机理复杂.为了具体区分导致不同参数退化的主要因素,采用等效TID法和等效DDD法.实验得出DDD效应主要引起暗电流的退化,而TID效应主要导致光谱响应的退化,实验结果为辐射环境下图像传感器的加固设计提供了理论依据.“,”The proton irradiation experiments with different energy were carried out on the new 8-transistor (8T) CMOS image sensors.As the total ionization dose (TID)effect and displacement damage dose (DDD) effect are caused simultaneously after pro-ton irradiation,the degradation of device performance is more complicated.In order to specifically distinguish the main factor causing the degradation of different parameters,the equivalent TID method and equivalent DDD method were adopted.It is concluded that DDD mainly causes the degradation of dark current,while TID mainly causes the degradation of spectral responsivity,which has a guiding effect on the hardening design of image sensor in the irradiation environment.
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