基于BZO衬底的高效非晶硅及非晶/微晶硅叠层太阳电池

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通过研究氢稀释对硼掺杂的硅氧材料特性的影响,制备出具有高纵向电导率(1.1×10-5S/cm)、低横向电导率4.2× 10-8 S/cm和宽带隙(2.52 eV)的p型纳米硅氧(p-nc-SiOx∶H)材料,将其作为非晶硅电池(a-Si∶H)的窗口层,使短波响应得到明显提升.但由于宽带隙p-nc-SiOx∶H层的引入,使p/i界面能带失配,恶化了电池性能.因此研究p/i界面缓冲层带隙对电池性能的影响,发现提高缓冲层带隙,使电池的内建电场得到明显提升,从而提高电池的转换效率.将获得的具有高开路电压的a-Si∶H电池作为顶电池应用到非晶/微晶硅叠层电池中,得到效率达12.99%的高效非晶/微晶硅叠层太阳电池.
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