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采用PECVD法在低沉积速率(<1?/s)条件下制备非晶硅,双面钝化n型Cz硅片(40 mm×40 mm),钝化最好的硅片平均少子寿命值为889μs,局部最高近1600μs,用准稳态光电导法测试的平均伪开路电压i Voc达722 m V。对FTIR测试结果分析表明:非晶硅薄膜中的Si H2与Si H键的相对数量对钝化效果具有重要影响。
Amorphous silicon and double-pass passivated n-type Cz wafers (40 mm × 40 mm) were fabricated by PECVD at low deposition rates (<1 μ / s) 889μs, the local maximum of nearly 1600μs, with pseudo-steady-state photoconductivity test the average pseudo-open-circuit voltage i Voc up to 722 mV. The results of FTIR test show that the relative amount of Si H 2 and Si H bonds in amorphous silicon film has an important influence on the passivation effect.
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ue＊M＃’＃dkB4＃＃8＃”专利申请号:00109“7公开号:1278062申请日:00.06.23公开日:00.12.27申请人地址:（100084川C京市海淀区清华园申请人:清华大学发明人:隋森芳文摘:本发明属于生物技
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