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采用微细雾化喷射沉积直写的方法在陶瓷基板上制备银厚膜导体。主要研究了施加气压、喷嘴到基板距离、直写速度以及雾化气压对导体线宽的影响规律，分析了微型喷嘴雾化直写厚膜导体机理，并优化了工艺参数，得到了最佳工艺参数范围：施加驱动气压控制在0．05～0．10MPa，喷嘴到基板距离0．4～1．2mm，直写速度在15mm／s以下，雾化气压0．14～0．24MPa，所得线宽350～750μm，单层膜厚1．5～10μm。