钯膜上CVD法制备碳纳米管薄膜的研究

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采用化学气相沉积法,以乙炔为碳源,在各种钯膜上制备了碳纳米管薄膜.通过电子显微镜观察了碳管薄膜和钯膜的表面形貌.结果表明,在真空气氛下磁控溅射的钯膜上无法生长碳纳米管.对溅射的钯膜进行大气气氛下的退火处理,则可生长出稀疏的碳纳米管团聚颗粒.采用在氧气气氛下磁控溅射的钯膜作为催化剂,则可显著提高碳管的生长密度和纯度,从而获得致密均匀的碳纳米管薄膜.
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