蓝光LED相关论文
在过去的几年中,金属卤化铅钙钛矿已成为最有前途的潜在光电材料之一。由于其可调节的带隙,高光学吸收系数,低激子结合能和高载流......
随着社会的快速发展,人们对于光源的要求也越来越高,更加高效、环保、安全的光源器件成为专家学者们的研究方向。氧化锌（ZnO）是一种......
近年来,人们在海洋资源勘探、海洋环境监测等领域的研究不断深入,一些部署在水下的机器人和智能传感器也逐渐增多。因此,作为这些......
本文利用发射波长为470nm的蓝色发光二极管作为基础光源,通过荧光粉转换方法制备白光发学二极管,荧光粉主要采用稀土激活的铝酸盐Y......
在清澈海水中,透射窗口在蓝绿光波段,蓝光在海水中具有很好的传输特性.为了满足深海观测网络及平台间的高速率、大容量的通信需求,......
香港大学研究人员发展了一种绿色和橘红色荧光纳米球涂层，涂在蓝光LED上（470nm）时可以发出白光。这种聚苯乙烯微粒自组装为蛋白石光子......
微软最近发布了采用“BlueTrack”技术的“蓝光”GaNLED鼠标，微软称使用该技术的鼠标精度高于现有各种光电鼠，可在更多物体表面上使......
聚合物材料由于成本低廉,器件制备工艺简单,高量子效率,因此近年来越来越受到人们的重视。用聚合物材料作为有源层制作的发光二极......
制造出了发光强度为12cd 的超高亮度 InGaN 单量子阱(SQW)结构绿光发光二极管(LED)。这些 InGaN SQW 绿光 LED(12cd)的发光强度大......
随着Ⅲ族化合物半导体技术的发展,以氮化镓(Gallium Nitride,GaN)为代表的氮化镓及其多元化合物作为发光材料受到人们极大的关注。......
GaN基发光二极管应用领域非常广泛,如照明、背光、显示屏等。目前GaN基蓝光LED的工艺技术相当成熟,电光转换效率达到70%以上,但绿......
随着全球经济和科技的飞速发展,更多的设备向小型化和集成化转变,促进了纳米结构和纳米材料的发展。相比于传统的块体材料,低维纳......
海洋是人类可持续发展的重要基地,开发利用海洋是解决当前人类社会面临的人口膨胀、资源短缺和环境恶化等一系列难题的可靠的途径,......
氧化锌(ZnO)半导体因具有较大的禁带宽度(3.37 e V)和较高的激子束缚能,在蓝紫光、紫外等短波长光电子器件领域有巨大应用前景,有......
在长余辉材料中,能量以填充余辉陷阱的方式储存到材料中,并且陷阱的填充通常需要借助高能光的激发。这种高能光激发的特性限制了长......
学位
近年来,全无机卤化物钙钛矿纳米晶已经在整个可见光范围内实现了高效发光,在光电领域显示出了巨大的应用潜力。然而,高效发光的纳......
随着液晶电视、智能手机、平板电脑、触摸屏、智能穿戴等光电子产品的普及,在光电子器件在技术上日益成熟的同时,仍就面临着许多尚......
宽禁带、直接带隙半导体材料GaN，被广泛应用于光电子器件中。InGaN/GaN多量子阱结构作为GaN基LED的核心部分，也成为当前半导体光电领......
蓝光LED与发黄光荧光体组合的白光LED，因其优越的性能而具有广阔的应用前景。本文采用高温熔融法制备了Eu2+单掺的B2O3-Al2O3-MO(M=......
纳米科技的发展促进了多种学科、不同研究领域的融合。纳米材料作为材料科学领域中的一个新的分支，在近十几年来一直是世界研究的热......
大功率白光 LED具有高光效、低功耗、寿命长和节能环保等优点,已广泛应用于全彩LED显示屏、LCD背光源、景观照明等领域,在可预见的......
1一种白光LED光源及其荧光体的制备方法公开（公告）号：CN102121591A摘要：本发明公开了一种白光LED光源及其荧光体的制备方法,所述的光源......
氮化镓在照明设备内应用,具有较高发光效率,进而具有良好发展前景。现阶段,其中相对成熟工艺就是单晶硅,同时单晶硅价格相对低廉,......
报道了用LP MOVPE技术在蓝宝石 (α Al2 O3)衬底上生长出以双掺Zn和Si的InGaN为有源区的蓝光和绿光InGaN/AlGaN双异质结结构 ,并研......
2014年,诺贝尔物理学奖就赤崎勇、天野浩和中村修二对蓝光LED技术的突出贡献进行了表彰,基于三位科学家的专利成果,从专利视角详细......
为了有效解决脉冲位置调制(pulse position modulation,PPM)的解调需要严格的同步,以及数字脉冲间隔调制(digital pulse interval ......
本文介绍了一种在不加引发剂和光催化剂的条件下,应用商用蓝光LED灯辐照,以2-(十二烷基三硫代碳酸酯基)-2-甲基丙酸(DDMAT)为链转......
在蓝光LED、白光LED以及蓝紫色半导体激光器等元器件中，采用的都是GaN（氮化镓）类半导体。每当有新的采用GaN类半导体的元器件投入实际......
3月20日上午，浪潮华光承担的国家发改委2011年电子信息产业振兴和技术改造项目——“高亮度、功率型蓝光LED外延及芯片扩产”项目顺......
瞄准平板电视及LED照明市场可观的商机，华上光电近期在中国大陆积极展开LED布局，华上表示，近期加紧进行与山西长治市合资案，由“长治高......
三星电机开发了蓝光LED与红、绿光荧光粉组合一体的白光LED，用于TFT-LCD背光灯。与RGB三个LED芯片组合的白光LED相比较，价格降低40％，比......
各国在超高亮度蓝、白光LED上的竞争近年来,在商业上以氮化镓CaN半导体晶体为材料的高亮度蓝色、白色光源LED的竞争已开始呈现白热......
优派DPG807使用8英寸TFT—LCD面板，亮度为250流明，接近主流桌面液晶显示器的亮度，对比度为500：1，分辨率高达800x600。同许多数码相框一......
东京工业大学研究开发了红色荧光材料，它是由钙、铝、硅的氮化合物组成的。此材料的制备是在氮气下1800℃经2h烧结而成的。将此荧光......
最近，东芝公司研究开发了一种新的类似于太阳光的LED荧光粉．在蓝光LED照射下荧光粉发光的颜色有蓝绿色、黄绿色、橙色等．这种新的荧光......
日本东京电波公司开发生产出大尺寸氧化锌单晶。氧化锌单晶是蓝光LED的重要材料，以前制作蓝光LED均采用蓝宝石作为LED基板，现在改成......
日本坂口电热公司开发了蓝光ZnOLED生产设备。目前，蓝光LED一般采用昂贵的蓝宝石衬底和氮化镓材料。利用此设备可采用便宜的氧化锌......
报道用自行研制的LP-MOVPE设备，在蓝宝石（α-Al2O3）衬底上生长出以InGaN为有源区的蓝光和绿光InGaN/AlGaN双异质结结构以及InGaN/GaN......
第2届全国氧化锌学术研讨会于2005年12月20～23日在南京召开。自全国首届氧化锌学术研讨会2003年在海口召开两年以来，国内外有关氧化......
利用等离子辅助化学气相沉积（PECVD）系统在垂直结构Si衬底GaN基蓝光LED芯片上生长了SiN钝化膜，并对长有钝化膜及未作钝化处理的LED在......
Vishay Intertechnology，Inc．宣布推出基于兰宝石（sapphire）的新系列高强度蓝光SMD LED．这些器件以低于标准InGaN蓝光LED的价格提供了高......
Avago宣布特别面向电子标志与号志（ESS，Electronic Signs and Signals）应用市场设计并推出新系列超高亮度Extra BrightⅡ系列椭圆红、......
德国LayTec公司和费迪南一布劳恩研究所提出了一项新型在线检测技术．通过减少晶片的弯曲来优化蓝光LED和激光二极管的外延生长。Lay......
为了采集水下目标的图像信息，降低水下成像系统的成本，通过采用大功率蓝光LED代替传统的激光器做光源，结合CCD成像技术，调节光束的发散......
