改善GaAs MESFETs硫钝化稳定性研究的新探索

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【摘要】

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硫钝化可以明显改善GaAs金属半导体场效应晶体管(MESFETs)的击穿特性,但钝化效果不稳定.我们利用硫钝化和PECVD SiNx钝化相结合的方法,使钝化的稳定性得到了提高,但同时击穿

【作者】

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李亚丽杨瑞霞杨克武

【机构】

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河北工业大学信息工程学院,电子部第13研究所

【出处】

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电子器件

【发表日期】

：

2005年1期

【关键词】

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硫钝化GaAs MESFETS 稳定性PECVD SINX sulfur passivation GaAs MESFETs stability PECVD

【基金项目】

：

军事预研项目，河北省自然科学基金

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硫钝化可以明显改善GaAs金属半导体场效应晶体管(MESFETs)的击穿特性,但钝化效果不稳定.我们利用硫钝化和PECVD SiNx钝化相结合的方法,使钝化的稳定性得到了提高,但同时击穿电压会出现下降.击穿电压下降的主要原因是:As-S键很不稳定,在较高温度下分解,使GaAs表面负电荷密度减小,击穿电压下降.

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