SINX相关论文
设计了一种基于SiNx填充的定向耦合器（DC）型偏振无关解复用器，用于分离1310 nm和1550 nm两个波长的光信号。采用等离子体增强化学气相......
针对氮化硅表面制作的剥离胶膜底切宽度不稳定的问题，采用碱溶液处理SiNx表面，研究SiNx表面状态与剥离胶膜底切宽度的关系。结果表明......
针对目前大部分偏振无关光功分器结构复杂和损耗大的问题，文章设计了一种基于Si/SiNx双层波导的偏振无关光功分器，用于1 550 nm波长......
针对目前基于p型硅片制备的单结太阳电池进一步提高表面钝化膜生产效率,利用氮化硅(SiNx)薄膜良好的钝化效果与价格低廉的二氧化钛......
在PECVD沉积SiO2和SiNx掩蔽层过程中,分解等离子体中存在较高浓度的H原子使得Mg-受主钝化和在p-GaN材料表面发生反应形成浅施主特......
分析了目前Low-E玻璃存在的问题,给出了解决办法及思路,介绍了碳化硅膜层的特性以及在镀膜领域尤其是低辐射膜层(Low-E)中的应用,......
利用管式PECVD在晶硅太阳电池上制备3种不同结构的SiNx∶H减反射膜:第一子层(靠近基底硅)折射率大于第二子层的双层减反射膜、第一......
系统研究了纳米量级的多孔 SiNx插入层生长位置对高质量GaN外延薄膜性质的影响.高分辨X射线衍射测量结果表明:SiNx插入层生长在CaN......
利用微波电子回旋共振增强磁控反应溅射法在不同基片温度下制备无氢SiNx薄膜.通过傅里叶变换红外光谱、透射电子显微镜、台阶仪、......
采用射频磁控溅射法在Si（100）和含有SiOx缓冲层的Si（100）上制备SiNx薄膜。直接生长在Si（100）的SiNx薄膜几乎不发光;而SiNx/SiOx薄膜在650......
硫钝化可以明显改善GaAs金属半导体场效应晶体管(MESFETs)的击穿特性,但钝化效果不稳定.我们利用硫钝化和PECVD SiNx钝化相结合的......
采用双离子束溅射法制备了SiNx薄膜,用XRD、XPS、FTIR等对薄膜的结构进行了表征,并且分析了样品的光致发光(PL)特性.发现在225 nm......
本文主要验证等离子体预处理对太阳能电池性能的影响，也就是SiNx：H层的性能。研究发现预处理的时间对于沉积物SiNx：H层影响比较小，较短......
采用原子层沉积工艺(ALD)生长均匀致密的三氧化二铝(Al2O3)薄层对氮化硅(Si Nx)绝缘层进行修饰,研究了铟镓锌氧薄膜晶体管(IGZO-TF......
探讨如何用电子回旋共振化学气相沉积(ECRCVD)设备制备非晶态氮化硅介质膜和光学膜.通过改变工艺条件中的微波功率、硅烷(SiH4)、......
利用等离子体增强化学气相沉积（PECVD）法沉积给定折射率的氮化硅薄膜,通过正交实验法对衬底温度、NH3流量和射频功率3个对氮化硅薄膜......
在偏振成像和激光功率测量技术领域，凡涉及偏振光的定量测量，都会由于光束的偏振态对探测器的影响而产生显著的误差。这种现象主要是......
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利用磁控溅射方法在Si（111）衬底上制备了厚度为1μm 的非晶 SiNx 薄膜，采用纳米压痕方法研究了薄膜的变形和断裂行为.傅立叶变换红外......
采用射频磁控溅射在二氧化硅衬底上沉积一层厚度200nm的非晶In-Ga-Zn-O(IGZO)薄膜,并在IGZO膜层上沉积厚度分别为20nm、50nm、60nm......
使用PECVD在单晶硅硅片表面沉积了非晶氮化硅（a-SiNx：H）薄膜，采用传统的退火炉和快速热退火炉进行了不同时间和温度下的退火比较，并研究......
利用管式PECVD工艺，通过调整气体流量比，得到减反射性能较佳的双层SiMx：H膜电池片，再对电池片封装成的光伏组件进行96h、300h的PID实验......
期刊
为了提高晶体硅太阳电池的光电转换效率,研究了用等离子增强化学气相沉积(PECVD)的SiNx:H作为晶体硅太阳电池的表面钝化及减反射膜......
在这个研究中，我们验证等离子体预处理对太阳能电池性能的影响，也就是SiNx：H层的性能。我们发现预处理的时间对于沉积物SiNx：H层影响比......
众所周知,sin^2x＋cos^2x=1,那么,当sinx与cosx的幂指数m与n（m,n均为正整数）不全为2时,函数y=sinmx＋cosnx的最值情况又会如何呢？......
本文利用容性放电模式（E-mode）的电感耦合等离子体（ICP）化学气相沉积技术,在低温（100℃）下采用硅烷（Si H4）、氮气（N2）和氢气（H2）作为先驱反应气......
期刊
计算极限的方法很多,而且有的极限很不好求,有时利用泰勒公式来求极限却使求极限变得非常简捷。这关键是我们要熟悉常用函数的泰勒......
提高背反射率、降低背表面复合速率是提高太阳电池转换效率的重要研究方向之一。SiNx薄膜因其良好的钝化特性不仅应用在传统太阳电......
