【摘 要】
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利用YF3/氧化物体系作为烧结助剂热压烧结碳化硅陶瓷,研究了此体系中氧化物的种类、含量对样品的致密度、导热性能、物相成分、微观形貌的影响。实验结果表明,在烧结温度1900
【机 构】
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华中科技大学光学与电子信息学院,华中科技大学材料科学与工程学院
【基金项目】
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国家重大科技专项02（2013ZX02104-001-002）
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利用YF3/氧化物体系作为烧结助剂热压烧结碳化硅陶瓷,研究了此体系中氧化物的种类、含量对样品的致密度、导热性能、物相成分、微观形貌的影响。实验结果表明,在烧结温度1900℃、压力50 MPa条件下,YF3/氧化物体系烧结助剂对碳化硅陶瓷热导率有所提升,其中同时添加5wt%YF3+3wt%Mg O双相烧结助剂的Si C陶瓷性能最优,其致密度为98.93%,热扩散系数为71.40 mm2/s,热导率为154.29 W/（m·K）。
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