【摘 要】
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石墨烯因为具有高硬度和强度、高热导率、高电导率和极佳的透光性等性质成为了广受关注的材料.尽管石墨烯有着超高的迁移率,但能量色散关系显示它是没有带隙的.为了实现石墨烯的应用,通过制备准一维的石墨烯纳米带可以打开石墨烯带隙,且该带隙的大小与纳米带的宽度、边界品向直接相关.石墨烯纳米带的制备一直是学术领域和产业界的研究热点,重点介绍了自上而下(top-down)和自下而上(bottom-up)两类制备石墨烯纳米带的方法,并将各种制备方法进行了对比分析.综合比较各种方法,制备原子级别边缘平整的和可控宽度的石墨烯纳
【机 构】
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石墨烯因为具有高硬度和强度、高热导率、高电导率和极佳的透光性等性质成为了广受关注的材料.尽管石墨烯有着超高的迁移率,但能量色散关系显示它是没有带隙的.为了实现石墨烯的应用,通过制备准一维的石墨烯纳米带可以打开石墨烯带隙,且该带隙的大小与纳米带的宽度、边界品向直接相关.石墨烯纳米带的制备一直是学术领域和产业界的研究热点,重点介绍了自上而下(top-down)和自下而上(bottom-up)两类制备石墨烯纳米带的方法,并将各种制备方法进行了对比分析.综合比较各种方法,制备原子级别边缘平整的和可控宽度的石墨烯纳米带,并实现品圆级别的大规模高效生产是石墨烯纳米带制备的主要难点.未来,将自上而下和白下而上两种方法的优点结合起来,既能实现极窄宽度、边缘平整,又能实现和现有半导体工艺兼容的石墨烯纳米带的制备方法有很好的发展前景.同时综述了石墨烯纳米带在场效应晶体管,DNA精准快速测序以及气体选择性探测等领域应用的研究进展,并对石墨烯纳米带存在的问题和未来发展趋势进行了展望.
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