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采用常压化学气相淀积（ＡＰＣＶＤ）工艺在１０００～１４００℃温度范围内的（１００）Ｓｉ衬底上进行了β－ＳｉＣ薄膜的异质外延生长．实验结果表明，随着淀积温度的升高，外延层由多晶硅向β－ＳｉＣ单晶转变，结晶情况变好;但同时单晶生长速率却反而有所下降．
硅基β-SiC薄膜外延生长的温度依赖关系研究
【摘 要】
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采用常压化学气相淀积（ＡＰＣＶＤ）工艺在１０００～１４００℃温度范围内的（１００）Ｓｉ衬底上进行了β－ＳｉＣ薄膜的异质外延生长．实验结果表明，随着淀积温度的升高，外延层由多晶硅向β－ＳｉＣ单晶转变，结晶情况变好;但同时单晶生长速率
【机 构】
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西安电子科技大学微电子研究所!西安７１００７１,西安电子科技大学微电子研究所!西安７１００７１,西安电子科技大学微电子研究所!西安７１００７１,西安电子科技大学微电子研究所!西安７１００７１
【出 处】
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无机材料学报
【发表日期】
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2000年01期
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