用于GaN HEMT栅驱动芯片的高精度欠压保护电路

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设计了一种用于GaN HEMT器件栅驱动芯片、能提供快速响应高精度阈值电压的高精度欠压保护电路.该电路一方面采用宽电压摆幅和快速响应的两级比较器电路来提高处理速度;另一方面,输出整形电路采用RC低通滤波和两级施密特触发器组合滤波,以滤除高频噪声的影响,产生稳定可靠的欠压保护输出信号.基于0.18 μm BCD工艺,完成了电路设计验证,仿真结果显示电路功能正确,可满足GaN HEMT器件栅驱动芯片应用要求.
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