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双平面掺杂AlGaAs/InGaAs功率PHEMT
双平面掺杂AlGaAs/InGaAs功率PHEMT
来源 :固体电子学研究与进展 | 被引量 : 0次 | 上传用户:aaaaaaaazzzz
【摘 要】
:
双平面掺杂AlGaAs/InGaAs功率PHEMT陈效建,刘军,李拂晓,郑雪帆,华培忠(南京电子器件研究所,210016)Double-planar-dopedAlGaAs/InGaAsPowerPHEMT¥ChenXiaojian;LiuJun;L...
【作 者】
:
陈效建
刘军
【机 构】
:
南京电子器件研究所
【出 处】
:
固体电子学研究与进展
【发表日期】
:
1994年3期
【关键词】
:
异质结器件
掺杂
镓铅砷
PHEMT
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双平面掺杂AlGaAs/InGaAs功率PHEMT陈效建,刘军,李拂晓,郑雪帆,华培忠(南京电子器件研究所,210016)Double-planar-dopedAlGaAs/InGaAsPowerPHEMT¥ChenXiaojian;LiuJun;L...
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