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采用共溅射磁控溅射方法，以Al＋Er为靶材，通过Er和Al靶的面积比来控制Er在A1N中的含量，在Si衬底上制备出AlN：Er薄膜．XRD分析结果表明，样品为非晶态．XPS分析结果表明，制备的AlN具有良好的化学计量比，Er的含量被控制在1atm％左右，氧不可避免．光致发光光谱的测试表明，样品的PL光谱呈现宽谱之上叠加尖峰谱的特征．其中，尖荧光峰谱源于Er^3＋的4f轨道直接激发跃迁；而宽谱则可能与Er^3＋的4f轨道的间接激发跃迁和O杂质有关．