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多孔硅在形成过程中由于内部产生巨大的拉伸应力,在裂纹的中心部位拉伸应力可达到0.92 GPa,导致在硅晶体内部较脆弱的部位(如晶界附近)形成微裂纹,多孔硅沿着硅表面缺陷和裂纹区生长.随着刻蚀时间的增加,多孔硅孔隙率增加,拉伸应力进一步增加.正是由于这种残余应力的存在导致了多孔硅发生龟裂现象.