【摘 要】
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报道了利用100Kev高剂量N~+在不同的温度条件下注入C膜合成新型超硬材料β-C_3N_4的新结果.对这种新材料进行了X射线光电子能谱,Fourier变换红外光谱、Raman光谱、剖面透射电
【机 构】
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中国科学院上海冶金研究所信息功能材料国家实验室!上海200050,中国科学院上海冶金研究所信息功能材料国家实验室!上海200050,中国科学院上海冶金研究所信息功能材料国家实验室!上海200050,中
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报道了利用100Kev高剂量N~+在不同的温度条件下注入C膜合成新型超硬材料β-C_3N_4的新结果.对这种新材料进行了X射线光电子能谱,Fourier变换红外光谱、Raman光谱、剖面透射电子显微镜、Rutherford背散射谱、X射线衍射及Vickers显微硬度等测量.结果表明利用100Kev高剂量N~+注入C膜成功地合成了埋层氮化碳CN_(?)膜中C≡N共价键的形成导致膜的硬度明显提高.最后利用Implantation of Reactive Ions into Silicon (IRIS)计算程序模拟了相同条件的N~+注入C膜合成埋层β-C_3N_4的形成过程,结果与实验符合较好.
This paper reports the new results of synthesizing β-C_3N_4, a novel superhard material by injecting C film under different temperature with 100Kev high-dose N ~ +. The new material was characterized by X-ray photoelectron spectroscopy, Fourier transform infrared spectroscopy, Raman spectroscopy , Transmission electron microscopy (TEM), Rutherford backscattering spectroscopy, X-ray diffraction and Vickers microhardness measurements.The results show that C The formation of ≡ N covalent bond leads to a significant increase in the hardness of the films.Finally, the formation process of β-C_3N_4 implanted with N ~ + implanted into C-film by the Implantation of Reactive Ions into Silicon (IRIS) The experiment is in good agreement.
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