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发射区及基区工艺对晶体管大电流特性的影响
发射区及基区工艺对晶体管大电流特性的影响
来源 :电子质量 | 被引量 : 0次 | 上传用户:wangqiang1818
【摘 要】
:
根据大电流特性影响的理论知识,结合该公司的实际情况,对发射区、基区工艺进行试验分析,结果表明基区浓度、发射区浓度对晶体管的大电流特性影响比较大。
【作 者】
:
余庆
【机 构】
:
华越微电子有限公司
【出 处】
:
电子质量
【发表日期】
:
2018年5期
【关键词】
:
晶体管
大电流特性
电流放大系数
transistor
High current characteristics
Current magnification f
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根据大电流特性影响的理论知识,结合该公司的实际情况,对发射区、基区工艺进行试验分析,结果表明基区浓度、发射区浓度对晶体管的大电流特性影响比较大。
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