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根据超突变结变容二极管设计和工艺特点，报道了利用SILVACO公司工艺模拟软件Athena、器件模拟软件Atlas等完成超突变结变容二极管的几何结构、浓度分布、工艺参数、电学参数等的设计，根据设计参数通过某型号Si超突变结变容二极管生产情况验证设计参数和电参数的吻合情况，改进实际工艺参数和模拟参数的容差系数；分别利用离子注入-扩散法和双离子注入法完成器件工艺制作，提高了的工艺重复性和成品率。采用TCAD技术大大缩短了研制周期、降低了费用。