【摘 要】
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单层二硫化钨的介电屏蔽效应弱,具有大的激子束缚能和强的荧光发射,是直接带隙半导体.利用自制荧光显微光谱成像实验装置对单层二硫化钨进行了荧光性能的测试和分析.结果 表明,单层二硫化钨的荧光发射峰处于620 nm附近.随着激光功率的增大,单层二硫化钨的荧光强度增大,其荧光发射峰发生明显的红移,且荧光峰位红移量和荧光强度受衬底类型调控.激子行为分析表明,中性激子和带电激子的峰值强度比是衬底依赖的.
【机 构】
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南开大学物理科学学院,天津300071
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单层二硫化钨的介电屏蔽效应弱,具有大的激子束缚能和强的荧光发射,是直接带隙半导体.利用自制荧光显微光谱成像实验装置对单层二硫化钨进行了荧光性能的测试和分析.结果 表明,单层二硫化钨的荧光发射峰处于620 nm附近.随着激光功率的增大,单层二硫化钨的荧光强度增大,其荧光发射峰发生明显的红移,且荧光峰位红移量和荧光强度受衬底类型调控.激子行为分析表明,中性激子和带电激子的峰值强度比是衬底依赖的.
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